I-V-VI2三元硫?qū)倩镒鳛橛糜诠夥鼞?yīng)用的地球豐富、無(wú)毒和空氣穩(wěn)定的吸收劑而受到關(guān)注。然而，迄今為止探索的半導(dǎo)體具有緩慢上升的吸收帶邊，并且它們的電荷載流子傳輸尚不清楚。鑒于此，2022年8月24日倫敦帝國(guó)理工學(xué)院Robert L. Z. Hoye團(tuán)隊(duì)于Nature Communications刊發(fā)NaBiS2納米晶體中的強(qiáng)吸收和超快定位具有緩慢的電荷載流子復(fù)合的研究成果，研究了陽(yáng)離子無(wú)序的NaBiS2納米晶體，該晶體具有陡峭的吸收帶邊，其吸收系數(shù)達(dá)到>10⁵?cm^-1，略高于1.4?eV的偽直接帶隙。令人驚訝的是，還觀察到超快（皮秒時(shí)間尺度）的光電導(dǎo)衰減和長(zhǎng)壽命的電荷載流子群體在NaBiS2納米晶體中持續(xù)超過(guò)1微秒。這些不尋常的特征是由于上價(jià)帶的局部非鍵Sp特性而產(chǎn)生的，這導(dǎo)致帶邊緣的電子態(tài)密度高，空間分離的電子和空穴的超快定位，以及被捕獲空穴的緩慢衰減。這項(xiàng)工作揭示了這些系統(tǒng)中陽(yáng)離子無(wú)序?qū)ξ仗匦院碗姾奢d流子動(dòng)力學(xué)的關(guān)鍵作用。